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三星大规模生产拥有2通道128gb的手机

记忆将在下一代旗舰智能手机和有针对性的使用将提供2.7倍的性能今天的嵌入式MultiMediaCard eMMC闪存。

三星是大规模生产首个128 gb的基于通用嵌入式闪存(UFS)2.0标准。


记忆将在下一代旗舰智能手机和有针对性的使用将提供2.7倍的性能今天的嵌入式MultiMediaCard eMMC闪存。


三星是兜售新的内存提供顺畅的超高清晰度视频的能力,更高效的多任务处理和减少电力使用。


UFS 2.0规范,发布于2013年,提供了多车道,串行总线与车道,并行总线用于今天的eMMC闪光。


UFS 2.0规范拥有高达600 mbps的吞吐量(每秒字节),而是因为它可以使用两个串行通道,它有一个1200 mbps,或12 gbps,三星。相比之下,eMMC 5.0规范,它有一个400 mbps的最大性能通过一个并行总线。


UFS 2.0甚至超过当前萨塔在大多数2.5——3.0标准使用。固态硬盘(ssd)。萨塔3.0提供了多达6 gbps。


根据三星,UFS 2.0内存提供了三次顺序读eMMC和随机读取速度的两倍。


”与我们的大规模生产的超高速UFS内存行业的最高的容量,我们是在做一项重大贡献,使消费者更先进的移动体验,“Jee-ho门,三星的内存市场高级副总裁,在一份声明中说。“未来,我们将增加大容量内存的比例。”


三星新UFS 2.0闪存也使用命令队列,可以延迟命令执行和重新排序基于数据的优先级,从而提高性能的关键功能。


三星UFS内存19000每秒输入/输出操作(IOPS)随机读取,这是2.7倍eMMC 5.0闪存。它还提供了一个顺序读写性能快12倍比一个典型的高速记忆卡,运行在1500 IOPS。


新的内存可以执行14000 IOPS,28倍常规外部记忆卡,“使它能够支持无缝超高清视频回放和光滑的多任务功能同时,使改进的移动体验,“三星。


三星新UFS嵌入式内存128 gb,64 gb和32 gb版本,eMMC阵容的容量的两倍。