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三星目前正在生产32 gb内存模块,内存可达128G

新8 gb DDR4是最后的阵容20 nm-based DRAM,还包括20 nm制程4 gb DDR3 pc和20 nm 6 gb LPDDR3为移动设备。

三星电子目前大规模生产最先进的8 gbit DDR4内存和32 gb注册双列直插式内存模块(RDIMM)。


DDR4内存是建立在一个新的接触(nm)过程技术和营销在企业服务器使用。


三星电子营销副总裁Jeeho在一份声明中说,“通过扩大我们的生产20 nm DRAM阵容,我们将提供优质、高密度DRAM产品,在处理客户需求的增加在全球高端企业市场。”


三星32 gb注册双列直插式内存模块(RDIMM)是基于8 gbit 20 nm制程芯片。


新8 gb DDR4是最后的阵容20 nm-based DRAM,还包括20 nm制程4 gb DDR3 pc和20 nm 6 gb LPDDR3为移动设备。


使用新的8 gb DDR4芯片,三星本月早些时候开始生产32 gb模块。每针新模块的数据传输速率达到2.4 gbps,代表大约29%的性能提升过去1.866 mbps带宽DDR3服务器模块。


32 gb RDIMM模块之外,新的8 gb的芯片将允许生产服务器模块的最大容量128 gb通过应用三维硅通过(TSV)技术,这将鼓励高密度DRAM市场的进一步扩张,该公司表示。


新的高密度DDR4,还拥有改进的纠错功能,这将增加内存企业服务器的可靠性设计。此外,新的DDR4芯片和模块使用1.2伏特,目前最低电压。