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三星开始3-bit 3D NAND闪存芯片的大规模生产

三星推出了第一代V-NAND去年(24层细胞),并推出其第二代V-NAND(32-layer)单元阵列结构。32-layer的推出,3-bit V-NAND,意味着三星是加速V-NAND生产技术的演变。

三星电子周三宣布,它已经开始大规模生产行业的第一个3-bit multi-level-cell三维(3 d)NAND闪存的固态硬盘(ssd),个人电脑和其他设备。

 

3 d或V-NAND(垂直NAND),三星称其为是一种第二代芯片,利用32每NAND内存芯片垂直堆叠细胞层。每个芯片都提供128字节(Gb)的内存存储。上一代芯片宣布在2013年8月。

 

使用3-bit-per-cell V-NAND大幅提高记忆效率的生产,三星在一份声明中说。相比3-bit平面(或单层)NAND flash,新的3-bit V-NAND翻了一番多晶片生产率在三星的工厂,该公司表示。

 

三星V-NAND的最重要的成就之一就是专有垂直互连工艺可以垂直堆叠多达32个细胞层,使用特殊的蚀刻技术,连接层电子的最高一层的底部打孔。

 

同时叠加层与非听起来会产生厚芯片,三星表示,增加“最新的平面相比是微不足道的NAND闪存芯片”——在高度小于几微米。

 

 

与平面与非,三星V-NAND使用基于3 d细胞结构电荷陷阱Flash(CTF)技术和垂直互连工艺连接单元阵列。通过应用后者技术,三星3 d V-NAND可以提供20 nm-class平面NAND闪存比例的两倍。

 

三星推出了第一代V-NAND去年(24层细胞),并推出其第二代V-NAND(32-layer)单元阵列结构。32-layer的推出,3-bit V-NAND,意味着三星是加速V-NAND生产技术的演变。

 

三星电子的市场营销和销售的高级副总裁,在一份声明中说:“外加一个全新的线高密度ssd的性能和价值观取向,我们相信3-bit V-NAND将加速数据存储设备的过渡从硬盘驱动器到ssd。”